双向资本绑定，ODM龙头牵手晶圆代工龙头共谋发展。4月28日晚，科创板晶圆代工头部企业晶合集成正式发布股份转让公告，披露公司股东力晶创新投资控股股份有限公司，已与华勤技术及其全资子公司合肥勤合签署股份转让协议，合肥勤合将通过协议转让方式，受让力晶创投持有的晶合集成10037.9585万股股份，该部分股份占公司总股本的5%，转让定价为26.41元/股，交易总价款达到26.51亿元。作为全球智能终端与

台积电规划 2029 年量产 A13（1.3 纳米）与 A12（1.2 纳米）工艺节点，现阶段暂缓采购阿斯麦天价高端 EUV 光刻机台积电 A13 工艺芯片面积较 A14 缩小 6%。这家台湾晶圆大厂公布全新技术路线图，敲定 2029 年推出 A13、A12 先进制程；受高昂成本制约，台积电暂不引入阿斯麦尖端高数值孔径 EUV 光刻机，依靠芯片微缩迭代推进新一代制程。台积电已公布截至 2029 年

半导体封测龙头日月光投控今日于高雄举行仁武新厂的建厂动土典礼，由执行长吴田玉亲自主持。面对全球AI 技术的快速崛起与半导体供应链的重组，吴田玉在典礼后的媒体问答中表示，日月光将在高雄仁武基地投资超过新台币1,000 亿元，并透露今年将迎来公司史上建厂规模最大的一年，全球预计将有六座新厂同步动工。吴田玉强调，AI的新浪潮才刚刚开始，硬体制造已取代软体成为下一世代的技术瓶颈，而台湾不仅是台积电与日月光

4月9日消息，据外媒报道，中国存储芯片制造商已启动12层高带宽内存HBM的大规模生产！12层堆叠技术的落地，让国产存储厂商具备了进入最高端AI硬件生产领域的能力。中国存储厂商与韩国头部企业自产业发展初期就存在的技术差距，正在显著缩小。分析指出，HBM是AI GPU不可或缺的核心配套芯片，当前市场主要由SK海力士、三星等韩国企业主导。国产存储若实现12层HBM量产，将填补国产HBM空白，直接利好上游

美国加州时间2026年4月1日，SEMI在最新发布的《300mm晶圆厂展望报告》（300mm Fab Outlook）中指出，全球300mm晶圆厂设备支出预计2026年将增长18%至1330亿美元，2027年将增长14%至1510亿美元。这一强劲增长反映了数据中心和边缘设备对AI芯片需求的激增，以及各主要地区通过本地化产业生态系统和供应链重组来加强半导体自给自足能力的坚定承诺。展望未来，报告预计投

日本2nm首个客户曝光Rapidus于2022年8月在美日推动、日本财团出资下成立，获IBM转让2nm技术，目标2027年量产 2nm 芯片，量产时间较台积电、三星晚2-3年。2025年7月，其北海道千岁市工厂展示2nm试制品，此前传闻的合作方博通未有实质动作。2026年3月，佳能成为Rapidus首个2nm量产客户。双方联合研发高端图像处理芯片，在千岁工厂试制，总研发费约400亿日元，日本经济产

近期全球晶圆代工产业正迎来一波成熟制程涨价潮，且趋势不断扩大。从厂商动作来看，包括力积电、世界先进以及中国大陆的合肥晶合集成（Nexchip）等业者，已陆续宣布或执行代工价格上调。其中，Nexchip预计自6月起调涨约10%，世界先进则确认将于2026年4月调价，且这是其年内第二次涨价，显示本轮涨价已从个别厂商行为，演变为产业性的普遍趋势。从直接原因来看，成本压力与扩产需求是推升价格的重要因素。世

近日，存储巨头美光宣布，已正式完成对力积电位于苗栗铜锣的P5晶圆厂收购，并取得该厂区的所有权。交易金额为18亿美元（约合 124.03 亿元人民币）。此次收购不仅将增加美光先进制程 DRAM 的生产能力，也有望提升力积电成熟制程 DRAM 的供应能力。预计美光将在未来一年内向力积电授权 1Y nm制程，后续还将进一步授权 1Z nm 制程，以提升 DDR4 等产品的产能与容量。据市场研究机构 Tr

铠侠停产引发MLC市场巨震一、行业地震！铠侠官宣停产，MLC时代加速落幕3月19日炸裂消息！NAND巨头铠侠中国正式官宣，停产TSOP封装全系列产品。而该封装专供低容量MLC NAND，相当于直接预告低容量MLC或将彻底退场🔥受产能与基材限制，铠侠已明确最后采购截止2026年9月，最后出货至2027年3月，2028年大概率彻底停供MLC。叠加三星、美光等大厂早已收缩MLC产能，全球MLC赛道迎来“

半导体再掀涨价潮，全球四大成熟制程晶圆代工厂，包括台湾联电、世界、力积电，以及对岸晶合传出最快4月起调升报价，幅度最高达一成甚至更多；成熟制程大宗用户，以驱动IC为首的IC设计厂因应成本上扬，也规划涨价。这是继记忆体、封装之后，半导体业新一波涨价潮，透露「芯片通膨」持续扩大。业界指出，成熟制程广泛用于消费性电子、汽车、工业等领域，渗透率比先进制程还高，四大成熟制程晶圆代工厂齐步喊涨，影响甚大。联电

Xnm先进工艺32核以上服务器芯片是龙芯2025-2027年重点研发的芯片。 龙芯中科3月13日发布新一期投资者关系活动记录表，披露了旗下首款GPU芯片9A1000的最新进展。龙芯中科透露，龙芯首款GPGPU芯片9A1000是去年9月底交付流片，目前还在等待回片的过程中，流片回来后还要进行测试、验证等，完成芯片产品化和整机产品化，每个环节大概都需要几个月的时间，上市的时间目前还无法做出准确判断。龙

3月10日消息，安世半导体(中国)有限公司官方宣布，基于自主研发的“12英寸平台”创新实践，已成功实现12英寸(300毫米)晶圆双极分立器件的小批量量产。同时，基于12英寸晶圆试验的全新ESD保护器件也取得成功，可为传输线路提供优化保护，有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路，适用于手机、便携式电子设备等。这说明，安世中国在被安世荷兰总部断供晶圆之后，成功依托国内12英寸晶圆制造平台，实现了部

1、佳能携手Synopsys开发2nm ISP、Rapidus代工、日本国企支持佳能与新思科技日本公司联手开展影像处理 SoC 技术研发，项目获日本新能源与产业技术综合开发机构（NEDO）国企资助，用于强化后 5G 基建与先进半导体技术。根据日本共同社的报道，这一项目计划采用 Rapidus 的制程工艺。双方将结合佳能影像处理优势与新思科技设计技术，基于2nm 工艺和Chiplet 架构，开发高性

2月28日，国内首条8英寸金刚石热沉片生产线在位于许昌长葛市的河南风优创材料技术有限公司（以下简称“风优创公司”）正式投产。这标志着我国在大尺寸金刚石散热材料领域实现了从实验室研发到规模化生产的关键跨越，将有效破解高端芯片散热“卡脖子”难题。这也是我省超硬材料产业向高端化、智能化转型的一项标志性成果。随着人工智能、5G通信、新能源汽车等产业的飞速发展，芯片算力飙升带来的散热问题日益凸显，成为制约产

2026年全球八英寸总产能年减幅度达2.4%；一、三星关闭一8英寸晶圆厂三星计划今年下半年关闭器兴工厂的8英寸晶圆厂S7，其8英寸晶圆月产能将从25万片降至20万片以下（S7月产能5万片），目前客户订单已开始转移。此举是为专注利润更高的12英寸晶圆厂，当前三星8英寸晶圆厂开工率约70%，且维护成本高昂，研发资源亦向12英寸倾斜。三星关闭8英寸晶圆厂并非个例，而是全球行业趋势。台积电也在削减8英寸晶

虽然现在台积电、三星都要进入2nm芯片工艺了，但从数量来看，全球70%的芯片，其实还是采用成熟工艺制造的，也就是28nm及以上的工艺。所以28nm其实是一个非常重要的工艺分界点，如果能够掌握28nm工艺，意味着已经跨入了先进工艺区域，如果不能，则代表还处于成熟工艺。事实上，之前国内的所有晶圆厂中，只有中芯国际一家，是进入了28nm工艺的，并且也是唯一进入10nm以下工艺的厂商。其它的晶圆厂，都是处

在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。这不仅仅是一次工艺迭代，更是一场从材料、集成到系统架构的全面革新。它成功将业界最薄的19微米氮化镓Chiplet、卓越的高频功率性能，以及革命性的单片集成CMOS数字电路库融为一体，标志着氮化镓技术正式从分立器件时代，昂首迈入系统级集成的全新疆域。面对5G/6G通信、人工智能计算与高效能源转换日益严

12月24日消息，美国特朗普政府在联邦公报上表示，美国将于2027年6月提高对中国半导体进口的关税，具体税率至少提前一个月确定。但与此同时，根据美国贸易代表办公室提交的文件，从中国进口半导体的初始关税税率将在 18 个月内为零。作为一年前启动的一项调查的一部分，该机构发现中国在该行业从事不公平贸易行为。该办公室在文件中表示：“几十年来，中国一直以半导体行业为目标，力图在该行业占据主导地位，并采取了

12月18日消息，据报道，斗山集团收购全球第三大半导体晶圆制造商SK Siltron将被收购的股份为70.6%，交易规模预计约为4万亿韩元（约合人民币190.8亿元）。如果交易达成，斗山集团未来主力半导体等高科技材料业务预计将进一步强化。斗山集团12月17日表示：“已收到SK集团的通知，被选为SK Siltron收购案的优先竞标方。”并补充道：“目前正在评估此次收购事项，并与相关各方进行协商。”S

半导体行业正计划开发一种新型高带宽存储器（HBM）。该产品有望在显著降低设计复杂性和制造成本的同时，提供与现有HBM相同的性能。如果实现商业化，预计不仅会对三星电子和SK海力士等存储器公司产生重大影响，还会对包括台积电和英伟达在内的相关生态系统中的公司产生影响。据业内人士15日透露，JEDEC已进入开发新的HBM标准“SPHBM4（标准封装HBM）”的最后阶段。HBM 是一种高性能存储器，它将多个