铠侠停产引发MLC市场巨震一、行业地震！铠侠官宣停产，MLC时代加速落幕3月19日炸裂消息！NAND巨头铠侠中国正式官宣，停产TSOP封装全系列产品。而该封装专供低容量MLC NAND，相当于直接预告低容量MLC或将彻底退场🔥受产能与基材限制，铠侠已明确最后采购截止2026年9月，最后出货至2027年3月，2028年大概率彻底停供MLC。叠加三星、美光等大厂早已收缩MLC产能，全球MLC赛道迎来“

半导体再掀涨价潮，全球四大成熟制程晶圆代工厂，包括台湾联电、世界、力积电，以及对岸晶合传出最快4月起调升报价，幅度最高达一成甚至更多；成熟制程大宗用户，以驱动IC为首的IC设计厂因应成本上扬，也规划涨价。这是继记忆体、封装之后，半导体业新一波涨价潮，透露「芯片通膨」持续扩大。业界指出，成熟制程广泛用于消费性电子、汽车、工业等领域，渗透率比先进制程还高，四大成熟制程晶圆代工厂齐步喊涨，影响甚大。联电

Xnm先进工艺32核以上服务器芯片是龙芯2025-2027年重点研发的芯片。 龙芯中科3月13日发布新一期投资者关系活动记录表，披露了旗下首款GPU芯片9A1000的最新进展。龙芯中科透露，龙芯首款GPGPU芯片9A1000是去年9月底交付流片，目前还在等待回片的过程中，流片回来后还要进行测试、验证等，完成芯片产品化和整机产品化，每个环节大概都需要几个月的时间，上市的时间目前还无法做出准确判断。龙

3月10日消息，安世半导体(中国)有限公司官方宣布，基于自主研发的“12英寸平台”创新实践，已成功实现12英寸(300毫米)晶圆双极分立器件的小批量量产。同时，基于12英寸晶圆试验的全新ESD保护器件也取得成功，可为传输线路提供优化保护，有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路，适用于手机、便携式电子设备等。这说明，安世中国在被安世荷兰总部断供晶圆之后，成功依托国内12英寸晶圆制造平台，实现了部

1、佳能携手Synopsys开发2nm ISP、Rapidus代工、日本国企支持佳能与新思科技日本公司联手开展影像处理 SoC 技术研发，项目获日本新能源与产业技术综合开发机构（NEDO）国企资助，用于强化后 5G 基建与先进半导体技术。根据日本共同社的报道，这一项目计划采用 Rapidus 的制程工艺。双方将结合佳能影像处理优势与新思科技设计技术，基于2nm 工艺和Chiplet 架构，开发高性

2月28日，国内首条8英寸金刚石热沉片生产线在位于许昌长葛市的河南风优创材料技术有限公司（以下简称“风优创公司”）正式投产。这标志着我国在大尺寸金刚石散热材料领域实现了从实验室研发到规模化生产的关键跨越，将有效破解高端芯片散热“卡脖子”难题。这也是我省超硬材料产业向高端化、智能化转型的一项标志性成果。随着人工智能、5G通信、新能源汽车等产业的飞速发展，芯片算力飙升带来的散热问题日益凸显，成为制约产

2026年全球八英寸总产能年减幅度达2.4%；一、三星关闭一8英寸晶圆厂三星计划今年下半年关闭器兴工厂的8英寸晶圆厂S7，其8英寸晶圆月产能将从25万片降至20万片以下（S7月产能5万片），目前客户订单已开始转移。此举是为专注利润更高的12英寸晶圆厂，当前三星8英寸晶圆厂开工率约70%，且维护成本高昂，研发资源亦向12英寸倾斜。三星关闭8英寸晶圆厂并非个例，而是全球行业趋势。台积电也在削减8英寸晶

虽然现在台积电、三星都要进入2nm芯片工艺了，但从数量来看，全球70%的芯片，其实还是采用成熟工艺制造的，也就是28nm及以上的工艺。所以28nm其实是一个非常重要的工艺分界点，如果能够掌握28nm工艺，意味着已经跨入了先进工艺区域，如果不能，则代表还处于成熟工艺。事实上，之前国内的所有晶圆厂中，只有中芯国际一家，是进入了28nm工艺的，并且也是唯一进入10nm以下工艺的厂商。其它的晶圆厂，都是处

在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。这不仅仅是一次工艺迭代，更是一场从材料、集成到系统架构的全面革新。它成功将业界最薄的19微米氮化镓Chiplet、卓越的高频功率性能，以及革命性的单片集成CMOS数字电路库融为一体，标志着氮化镓技术正式从分立器件时代，昂首迈入系统级集成的全新疆域。面对5G/6G通信、人工智能计算与高效能源转换日益严

12月24日消息，美国特朗普政府在联邦公报上表示，美国将于2027年6月提高对中国半导体进口的关税，具体税率至少提前一个月确定。但与此同时，根据美国贸易代表办公室提交的文件，从中国进口半导体的初始关税税率将在 18 个月内为零。作为一年前启动的一项调查的一部分，该机构发现中国在该行业从事不公平贸易行为。该办公室在文件中表示：“几十年来，中国一直以半导体行业为目标，力图在该行业占据主导地位，并采取了

12月18日消息，据报道，斗山集团收购全球第三大半导体晶圆制造商SK Siltron将被收购的股份为70.6%，交易规模预计约为4万亿韩元（约合人民币190.8亿元）。如果交易达成，斗山集团未来主力半导体等高科技材料业务预计将进一步强化。斗山集团12月17日表示：“已收到SK集团的通知，被选为SK Siltron收购案的优先竞标方。”并补充道：“目前正在评估此次收购事项，并与相关各方进行协商。”S

半导体行业正计划开发一种新型高带宽存储器（HBM）。该产品有望在显著降低设计复杂性和制造成本的同时，提供与现有HBM相同的性能。如果实现商业化，预计不仅会对三星电子和SK海力士等存储器公司产生重大影响，还会对包括台积电和英伟达在内的相关生态系统中的公司产生影响。据业内人士15日透露，JEDEC已进入开发新的HBM标准“SPHBM4（标准封装HBM）”的最后阶段。HBM 是一种高性能存储器，它将多个

半导体硅材料是集成电路产业的核心基石，其纯度、平整度、缺陷控制水平直接决定芯片性能与良率。从尺寸演进来看，半导体硅片已形成4英寸、6英寸、8英寸（200mm）、12英寸（300mm）的梯度格局。12英寸硅片凭借单片可产出芯片数量约为8英寸2.25倍以上的效率优势，成为7nm及以下先进制程逻辑芯片、高端存储芯片、AI芯片的核心载体。当前，12英寸硅片已然成为技术攻坚的核心战场。近期，12英寸硅片领域

中芯国际与国科微终止中芯宁波股权交易 半导体产业整合节奏趋稳11月28日，中芯国际（688981.SH/00981.HK）与国科微（300672.SZ）同步公告，终止持续近半年的中芯宁波股权收购计划。这意味着国科微原拟“发行股份+支付现金”收购中芯宁波94.366%股权的交易搁浅，双方确认此次终止不涉及违约责任。此次收购始于2025年6月5日，当时中芯国际全资子公司中芯控股等中芯宁波股东，与国科微

一、10%里程碑：中国存储的全球呐喊当Counterpoint的最新数据砸向市场，一个数字让全球半导体巨头集体震动——10%！2025年，长江存储（YMTC）全球NAND闪存出货量份额首次冲破这道壁垒，第三季度更是狂增，与美光科技的差距已近在咫尺。这不是偶然的数字跳动，而是中国芯片业突破美日韩垄断的宣言。要知道，全球NAND市场曾是三星（32%份额）、SK海力士的天下，中国企业长期徘徊在边缘。如今

三星Exynos 2600：2nm工艺量产数据显示其2nm良率50%-60%，同期台积电约80%。三星电子首款采用2nm工艺的移动应用处理器Exynos 2600已启动量产，这一突破正推动韩国国内半导体生态系统复苏，尤其带动后处理行业运营率提升及设计公司客户拓展。作为三星2nm GAA工艺的首发芯片，Exynos 2600于2025年第三季度末正式量产，当前良率已稳定在50%-60%，较上一代3n

据报道，三星电子计划将约1000名员工迁至位于德克萨斯州泰勒的园区。泰勒经济发展公司近日在领英上宣布：“三星奥斯汀半导体公司正准备在本月底前将其员工迁至一座新建的六层办公楼。” 他们补充道：“未来两个季度，约1000名员工将迁至泰勒园区，为当地社区带来新的活力和机遇。”三星电子的泰勒园区占地约1200英亩（约485万平方米），面积约为汝矣岛的1.7倍。园区包括办公楼、公用设施、制造工厂和物流大楼。

2024-2027年中国大陆300mm晶圆厂数量将从现有29座快速增长至71座，占全球239座总量的29.71%，成为全球300mm晶圆产能扩张的核心驱动力。这一爆发式增长背后，是国内半导体产业链对先进制造、特色工艺及存储领域的持续加码，也标志着中国在全球半导体制造版图中的地位进一步提升。四大产业集群分工明确 覆盖逻辑、存储、研发与产能基地国内已形成分工清晰的四大半导体产业集群：长三角以上海、无锡

11月10日消息，据外媒Syracuse报道，美光最新披露的一份文件显示，其在美国纽约州克莱附近的晶圆厂建设计划将推迟5年，不过其在爱达荷州的第二座晶圆厂将会进一步加速建设。而来自美国《芯片与科学法案》的补贴资金也将优先分配给爱达荷州的第二座晶圆厂的建设。在今年6月12日，美光就宣布了其高达2000亿美元的美国投资计划。其中，500亿美元将会投入到研发投资当中。另外1500亿美元的投资将用于扩大产

11月7日消息，在特斯拉年度股东大会上，CEO马斯克披露了特斯拉最新技术进展、产品规划及使命升级方向。其中，面对核心的芯片，特斯拉正考虑自建大型晶圆厂！对于芯片研发，马斯克表示自己“做梦都在画芯片”，重点推出专为特斯拉AI优化的AI 5芯片：“它的功耗只有英伟达Blackwell的1/3，性能却相当，成本还不足其10%，整数运算效率、能效和硅片效率都远超竞品”。他透露AI 5将由台积电和韩国三星生