近日，存储巨头美光宣布，已正式完成对力积电位于苗栗铜锣的P5晶圆厂收购，并取得该厂区的所有权。交易金额为18亿美元（约合 124.03 亿元人民币）。

此次收购不仅将增加美光先进制程 DRAM 的生产能力，也有望提升力积电成熟制程 DRAM 的供应能力。

预计美光将在未来一年内向力积电授权 1Y nm制程，后续还将进一步授权 1Z nm 制程，以提升 DDR4 等产品的产能与容量。

据市场研究机构 TrendForce 的最新调查，2025 年第三季度美光在全球 DRAM 市场的营收占比约为 25.7%，排名全球第三。若相关扩产计划顺利推进，预计到 2027 年全球 DRAM 产业的市占比有望进一步提升。

目前，铜锣 P5 厂区拥有约 30 万平方英尺（约 2.79 万平方米）的 300 毫米晶圆无尘室空间。

从3月起，美光将对现有无尘室进行改造，同时计划在 2026 财年底前启动第二座晶圆厂建设，新增约 27 万平方英尺（约 2.51 万平方米）无尘室空间。按照规划，该厂区预计将在 2028 财年开始为公司提供规模化产品出货能力。

按当前进度，美光预计将在 2026 至 2027 年间分批导入现有设备以及新购设备，其中以先进 DRAM 制程所需的前段设备为主，并计划在 2027 年实现量产。

预计铜锣厂一期项目在 2027 年下半年所贡献的产能，将相当于美光 2026 年Q4全球 DRAM 产能的 10% 以上。

事实上，随着 HBM、DDR5 和 LPDDR5X 等先进 DRAM 产品需求持续增长，美光近年来一直在加速扩建全球产能。

除了持续推进美国 ID1 项目以及新加坡 HBM 后段封装产能建设外，也在积极收购现有厂房以扩大生产布局。

此前，美光已陆续收购 友达光电 位于台南的两座厂房、AUO Crystal 在台中的厂区，以及 Glorytek 位于台中的工厂，用于晶圆测试（Wafer Probe）、金属化（Metallization）以及 HBM TSV 等关键制造环节。

此外，美光还计划将部分新加坡 NAND Flash 工厂的无尘室空间改造为 DRAM 金属化生产线，以进一步优化产能结构。

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