4月9日消息，据外媒报道，中国存储芯片制造商已启动12层高带宽内存HBM的大规模生产！

12层堆叠技术的落地，让国产存储厂商具备了进入最高端AI硬件生产领域的能力。中国存储厂商与韩国头部企业自产业发展初期就存在的技术差距，正在显著缩小。

分析指出，HBM是AI GPU不可或缺的核心配套芯片，当前市场主要由SK海力士、三星等韩国企业主导。国产存储若实现12层HBM量产，将填补国产HBM空白，直接利好上游半导体设备环节。面对外部供应不确定性，国内存储厂扩产将加速推进设备国产化进程；HBM等高附加值产品量产，有助于提升国内晶圆厂资本开支意愿，为设备企业带来持续订单预期。

产业人士表示，三星电子、SK海力士常年主导全球HBM市场，目前国产存储与两家韩系龙头的制造能力差距，已经缩短至不到三年。

报道显示，国产存储公司将DRAM总产能的约20%全部投入HBM制造，完成产能转型后，其HBM月晶圆产能可达6万片。目前生产良率仍低于韩国竞争对手，其现阶段核心目标是全面满足国内AI产品的市场需求，同时为未来进军国际市场做战略布局。

国产存储12层HBM产品的落地，给三星、SK海力士等市场头部企业带来了越来越大的竞争压力。后者必须加速推进更先进的制造技术，才能维持行业领导地位。

产业专家预测，全球存储产业竞争的下一阶段，将聚焦16层堆叠与混合键合技术的研发与落地。