早在全球化成为热门政治话题之前，查尔斯·斯波克 (Charles Sporck)就是全球化最早的倡导者之一。斯波克于 10 月 12 日去世，享年 96 岁。他在 20 世纪 60 年代初率先将仙童半导体公司的部分装配业务从美国迁至香港，开创了海外制造的先河。后来，在担任美国国家半导体公司首席执行官期间，他将更多业务迁至海外，并成功说服美国政府提供补贴，帮助美国微芯片制造商抵御来自日本的竞争。半导

半导体市场与几年前相比发生了巨大变化。云服务提供商希望定制硅片并与合作伙伴合作进行设计。长期以来被讨论为未来时态的芯片和 3D 设备是市场中一个不断增长的领域。摩尔定律？它仍然存在，但制造商和设计师遵循它的方式不同于简单地缩小晶体管。纯属巧合的是，推动这些变化的许多力量都发生在同一年：2006 年扩展的魔力减缓尽管摩尔定律已经放缓，但它仍然存在；半导体公司继续能够以某种可预测的节奏缩小晶体管的尺寸

过去两年，围绕着SiC的内卷，已经有了很多讨论，这也引起了一系列的连锁反应。例如，据10月份发布的行业报告显示，今年以来，主流6英寸SiC基板价格持续下滑，降幅接近30%。报告引述业内人士消息透露，截至2024年中，6英寸SiC基板价格已跌破500美元，逼近厂商生产成本，到今年第四季度，价格进一步跌至450美元甚至400美元，给多数厂商带来资金压力。虽然这些讨论很多都是围绕本土的SiC进行。但从最

东北大学于2024年10月17日宣布，成立了一家名为FOX的初创公司，旨在以低成本大规模生产β型氧化镓（β-Ga2O3）晶圆。采用该校与该校初创公司C&A联合开发的无贵金属单晶生长技术，可以以比SiC（硅）更低的成本生产出与硅相当的低缺陷β-Ga2O3/衬底。我们的目标是将该技术投入实际应用。β-Ga2O3具有比SiC和GaN（氮化镓）更宽的带隙，并且由于其高性能和低能量损耗而有望用作下一代功率半

半导体封装已从传统的 1D PCB 设计发展到晶圆级的尖端 3D 混合键合。这一进步允许互连间距在个位数微米范围内，带宽高达 1000 GB/s，同时保持高能效。先进半导体封装技术的核心是 2.5D 封装（其中组件并排放置在中介层上）和 3D 封装（涉及垂直堆叠有源芯片）。这些技术对于 HPC 系统的未来至关重要。2.5D 封装技术涉及各种中介层材料，每种材料都有各自的优点和缺点。硅 (Si) 中

今天，光刻机设备巨头发布了公司最新的财报。财报数据显示，2024年第三季度，ASML实现净销售额75亿欧元，毛利率为50.8%，净利润达21亿欧元。今年第三季度的新增订单金额为26亿欧元，其中14亿欧元为EUV光刻机订单。ASML预计2024年第四季度的净销售额在88亿至92亿欧元之间，毛利率介于49%到50%，2024年全年的净销售额约为280亿欧元。ASML还预计，2025年的净销售额在300

据世界半导体市场统计（WSTS）显示，2024年8月全球半导体市场规模较上年同月增长28.0%，大幅超过2024年7月18.0%的增幅。然而，这是因为内存市场表现出非常强劲的增长，而非内存市场的情况继续不利。许多日本半导体厂商的主要产品是微控制器、模拟器件和分立器件，目前的情况是这些产品领域的增长低于上年。各公司的中期财务业绩计划于2024年10月下旬至11月上旬公布，许多公司可能会披露其半导体业

三星已利用计算机建模加速选择仅选择器存储器 (SOM) 的材料系统。研究人员将于今年 12 月在旧金山举行的国际电子设备会议 (IEDM) 上发表有关这项工作的论文。SOM是一种很有前途的新型存储器，它具有非易失性以及类似 DRAM 的读/写性能和可堆叠性。SOM 建立在交叉点存储器架构之上，其中存储器由相互交叉的堆叠电极阵列制成。相变存储器和 RRAM 阵列都使用这种方法，这种方法通常需要选择器

所谓带隙，是指电子和空穴从价带跃迁到导带所需的能量。其中，带隙大的半导体称为宽带隙半导体（WBG：Wide Band Gap ）。作为最广泛使用的半导体材料的Si（硅）带隙为 1.12 eV（电子伏特）。而近年来广为关注的SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）的带隙都是3左右，所以它们都是宽带隙半导体。正因为拥有如此特性，意味着宽带隙材料可以比硅更薄，以维持相同的施加电压。与相同额定电压的硅相比，较

Red Hat 的研究表明，云计算和人工智能的采用对全球企业至关重要。Red Hat 调查敦促在竞争日益激烈的市场中采用云和人工智能技术以满足对先进半导体日益增长的需求。随着全球企业加速采用云计算和人工智能技术，全球半导体行业的需求正在激增。这种转变加剧了芯片制造商之间的竞争，英特尔、AMD、Nvidia 和 ARM 等公司都在争夺这个快速变化的市场的主导地位。然而，随着企业重新评估其 IT 战略

即将推出的三星 Galaxy S25引发热议，有传言称它将搭载联发科 Dimensity 9400 芯片组。这种猜测源于三星在3nm 工艺节点上持续面临的产量挑战，这可能导致Exynos2500 处理器被取消。三星代工厂的良率问题《韩国商业》最近的报道强调，三星代工厂正努力解决与其先进的3nm 制造工艺相关的重大产量问题。无法实现可接受的生产结果阻碍了该技术的商业化努力。Google DeepMi

研调机构DIGITIMES预估，今年全球晶圆代工营收将达1591亿美元，年增14%，2029年将突破2700亿美元；2024年至2029年的年复合成长率约11.5%，AI及高效能运算（HPC）应用带动先进制程与先进封装需求强劲是主要动能。DIGITIMES今天发布新闻稿，说明全球晶圆代工业发展预估，半导体产业自2022年开始进入库存调整期，至2024年上半逐渐进入尾声，但消费性电子需求迄今仍呈现疲

对于存储行业来说，喜忧参半是现在最真实的写照。喜的是DRAM和NAND的回暖，还有HBM的异军突起，忧的是行业前景并不算明朗，增长还没持续多久就出现了放缓现象。韩厂如此，美厂如此，日厂亦是如此，尽管AI芯片的持续热销带来了不少机会，但消费市场的持续低迷也让几家厂商感到颇为头疼。几家欢喜几家愁，在各大存储厂的近来动向里表现无疑。SK海力士SK海力士是当然忧得最少的那一家。尽管摩根士丹利在9月看衰了S

台积电2纳米即将于明年下半年量产，目前正如火如荼进行试产中。新竹宝山Fab20厂进机流程已告一段落，7月开始试产。高雄Fab22首座P1厂也即将完工，预计12月进行设备装机，最快将于明年第二季试产。外媒报导，台积电2纳米已进行风险性试产，确保在量产之前，能有稳定的良率。早在去年12月，台积电就已向苹果、辉达展示2纳米制程技术原型的测试成果。对于2纳米试产进度？台积电表示，2纳米制程技术按计划如期进

三星电子的代工业务正面临充满挑战的时期，连续亏损和战略不确定性。7月，三星集团子公司三星证券发布了一份题为《地缘政治范式转变与产业》的报告，建议分拆代工业务并在美国上市。今年下半年，三星开始量产其Gate-All-Around（GAA）3纳米（nm）第二代工艺。然而，由于产量不稳定，该工艺未能抓住客户的心。这一技术问题给该公司与行业领导者台积电的竞争蒙上了阴影，台积电第二季度占据了 62.3% 的

据报道，台积电已在其亚利桑那州的代工厂开始生产苹果的iPhone芯片，第一款在美国生产的芯片将是 A16。台积电位于亚利桑那州的代工厂已建设多年，该项目的规划可以追溯到2020 年。经过四年建设，该工厂现已投入运营，并已开始为苹果生产芯片。据蒂姆·卡尔潘 (Tim Culpan)的消息来源称，台积电位于亚利桑那州的 Fab 21 工厂第一阶段正在生产iPhone 14 Pro的 A16 SoC ，

9月14日，盖泽华矽半导体科技（上海）有限公司（以下简称：盖泽半导体），两台自主研发的FTIR膜厚量测设备GS-M08X，正式交付两家客户。同日向两家头部半导体客户交付外延膜厚量测设备，实属业界罕见。图1：两台GS-M08X设备揭幕图2：两台GS-M08X设备出机作为一款量产设备，该机种基于FTIR红外光谱技术，可以精准测量晶圆中多层外延层的厚度，提供高精度的量测结果。设备装配了双臂洁净机械手和全

在全球半导体产业持续向高端化、集成化迈进的背景下，台积电再次展现了其在技术前沿的引领力。8月15日，台积电正式宣布与群创光电达成重大合作协议，斥资约合人民币37.88亿元收购后者位于台南市新市区的厂房及附属设施，旨在进一步扩大其CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先进封装技术的产能，以应对日益增长的人工智能（AI）芯片市场需求。此次交易不仅是台积电在先进封装领域的重要

据WSTS称，2024年第二季度全球半导体市场规模达到1499亿美元。2024年第二季度较2024年第一季度增长6.5%，较去年同期增长18.3%。WSTS将2024年第一季度的预测上调了30亿美元，使2024年第一季度较去年同期增长17.8%，而不是之前的15.3%。与 2024 年第一季度相比，主要半导体公司 2024 年第二季度的收入增长普遍强劲。在排名前十五的公司中，只有两家公司（联发科和

全球领先的半导体制造巨头台积电今日宣布，其位于德国德累斯顿的首座12吋晶圆厂将于8月20日举行盛大的动土典礼，标志着台积电在欧洲的半导体产业布局正式拉开序幕。该厂不仅将采用先进的半导体制造技术，还预示着台积电在全球范围内的战略布局迈入了一个全新的阶段。据台积电官方透露，这座位于德国德累斯顿的先进晶圆厂将专注于导入28/22纳米平面互补金属氧化物半导体（CMOS）技术以及更先进的16/12纳米鳍式场