来源：内容来自日经中文网，谢谢。日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料「碳化硅（SiC）」基板的新制造技术。artience（原日本东洋油墨SC控股）也在新型接合材料的实用化方面看到了眉目。碳化硅半导体可提高纯电动汽车（EV）的充电速度。而两家企业的技术均有助于降低碳化硅半导体的价格。日本拥有优势的材料技术将推动EV的普及。中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制

在Multibeam看来，今天可以称得上是全球半导体行业的一个里程碑，因为他们今天推出了 MB Platform，——全球首创的多柱电子束光刻 (MEBL：Multicolumn E-Beam Lithography )，可以使芯片工厂变得更好。据介绍，其新光刻系统（在芯片上印刷图案必不可少）是专为大规模生产而打造的系统。全自动精密图案化技术将用于快速成型、先进封装、高混合生产、芯片 ID、复合半

一，52.93亿元！36万片！中车又一功率器件项目启动！2024年6月25日，中国中车中低压功率器件产业化（株洲）项目桩基建设启动仪式在株洲市石峰区田心工业园举行，株洲市市委副书记、市长陈恢清宣布开工！中国中车总经济师邵仁强，湖南省工信厅副厅长杨亲鹏，市领导何恩广、刘亚亮参加开工仪式并致辞。中低压功率器件产业化（株洲）建设项目总投资约52.93亿元，将以时代电气控股子公司株洲中车时代半导体有限公司

尽管目前市场上SiC衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及，但国内SiC衬底头部厂商普遍都在积极布局8英寸，其中就包括南砂晶圆。早在2022年9月，南砂晶圆就联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，并加工成厚度为520μm的8英寸4H-SiC衬底。为加速8英寸SiC衬底产业化，南砂晶圆8英寸SiC单晶

一、氮化嫁（GaN）定义氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。图1：第一、第二、第三代半导体的禁带宽度图源：智慧芽1.1 第一代半导体材料第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)半导体材料，兴起于二十世纪五十年代，带动了以集成电路为核心的

摩根大通（小摩）证券在最新释出的「晶圆代工产业」报告中指出，晶圆代工去库存化将结束，产业景气2024年下半年将广泛恢复，并于2025年进一步增强，小摩据此按赞三台厂，包括台积电、联电、力积电等均给予「优于大盘」评级，世界先进与陆厂中芯国际建议「中立」。小摩台湾区研究部主管Gokul Hariharan分析，景气第1季落底，加上AI需求持续上升、非AI需求也逐渐恢复，更重要的是急单开始出现，包括大尺

SEMI报告指出，全球半导体制造业好转，预料下半年成长将转强。（路透）国际半导体产业协会（SEMI）的最新报告指出，多项指针显示全球半导体制造业好转，电子产品销售升温、库存回稳、晶圆厂已装机产能提高，预料下半年成长将转强。SEMI与TechInsights共同制作的2024年第1季半导体产业监控（SMM）报告指出，上季电子产品销售年增1%，本季预估年增5%；上季集成电路（IC）销售年比增长22%，

来源：内容来自环球网，谢谢。有记者问：日本政府4月26日宣布拟对半导体等领域相关物项实施出口管制，并就有关措施征求公众意见。中方对此有何评论？答：我们注意到，日本政府宣布拟对半导体等领域相关物项实施出口管制，中方对此表示严重关切。半导体是高度全球化的产业，经过数十年发展，已形成你中有我、我中有你的产业格局，这是市场规律和企业选择共同作用的结果。一段时间以来，个别国家频频泛化国家安全概念，滥用出口管

全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。“John Palmour 碳化硅制造中心”将制造 200mm 碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大 Wolfspeed 材料产能，满足对于能源转型和 AI 人工智能至关重要的新一代半导体的需求。据悉，“John Palmour 碳化硅制造中心”总投资 50 亿美元，占

大日本印刷株式会社（DNP）已经开始全面开发 2 纳米（nm：10-9m）代逻辑半导体的光掩模制造工艺，支持半导体制造的尖端工艺 EUV（极紫外光）光刻技术。近年来，尖端逻辑半导体已通过使用 EUV 光源的 EUV 光刻技术生产出来。2016年，DNPDNP成为全球首家推出多光束掩膜写入器(MBMW)的商业光掩膜制造商，增强了其高生产率和高品质制造尖端半导体的能力。2023年，DNP完成了3纳米一

意法半导体（简称ST）发布了一项基于18纳米全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术并整合嵌入式相变存储器（ePCM）的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化。这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发，使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃，同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代STM32微控制器的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片，2

3月14日，爱仕特官微宣布，与深圳市英威腾电动汽车驱动技术有限公司、中国科学院深圳先进技术研究院签署合作协议，联合开发基于碳化硅的新能源汽车高集成度多功能驱动系统，成功获得了2023年度深圳市创新创业计划—科技重大专项项目的立项批准。该项目技术研发涵盖碳化硅功率模块、高可靠性电子控制系统及混合动力驱动系统。爱仕特着力研发碳化硅功率器件的关键封装及测试、驱动和结温保护等技术，重点开发碳化硅驱动，实现

美国半导体设备制造商应用材料公司在印度班加罗尔开设了一个验证中心，标志着印度首家能够加工300mm晶圆的商业设施诞生。该验证中心是应用材料在印度进行的一项重要投资，总投资额达到2000万美元，预计将创造500个就业机会。印度电子和信息技术部长Ashwini Vaishnaw亲自为该项目揭幕。Ashwini Vaishnaw强调，印度的目标是构建一个全面的半导体生态系统，涵盖晶圆厂、ATMP设施、化

2月29日，印度联邦内阁批准了三项半导体工厂提案，其中两项在古加拉特邦（Gujarat）建设，一项在阿萨姆邦（Assam），预计总成本成本将耗资12.6 亿卢比。据悉，这些提案中包括塔塔集团（Tata Group）和力积电（PSMC）合作，在古加拉特邦多莱拉（Dholera）建设印度第一座半导体工厂，预计成本高达9,100 亿卢比。印度IT 部长Ashwini Vaishnaw 表示，塔塔集团旗下

投资界3月4日消息，天眼查App显示，武汉新芯集成电路制造有限公司近日发生工商变更，新增武汉光谷半导体产业投资有限公司、中国互联网投资基金（有限合伙）、建信金融资产投资有限公司等30位股东，注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币，同时，多名主要人员也发生变更。此次变更前，该公司由长江存储科技控股有限责任公司全资持股。新芯集成电路是一家集成电路技术研发商，公司的业务包括为用户提供晶圆