台积电且因应客户长期成长需求，今年资本支出将原本预估的280亿到320亿美元，下限略微上修至300亿美元，上限仍维持320亿美元。不过随产能利用率拉升，台积电本季毛利率将介于53.5到55.5%；营业利益率介于42.5%到44.5%，均于上季的53.2%及42.5%。台积电公布第2季3奈米制程出货占台积晶圆销售金额的15%，5 奈米制程出货占全季晶圆销售金额的35%；7 奈米制程出货则占全季晶圆销

随着企业适应智能行业，硅片性能变得越来越重要，通常是成功数字化转型的基石。因此，半导体公司面临着客户的需求，他们希望获得更加个性化和以软件为中心的体验。对于许多行业专家来说，半导体行pcgamer业显然正在经历一场大规模的转型，其客户要求各个行业都进行变革。在这个复杂的领域，出现了一个新的机遇——半导体软件化——具体来说是“芯片到行业”。这种新模式支持创建全栈功能。从硅片到应用，半导体软件化有两种

随着人工智能（AI）市场的增长，大型科技公司的服务器建设再次活跃，对大容量NAND闪存的需求也不断增加。随着存储行业重新燃起高容量、高性能 NAND 的堆叠竞争，预计 400 层 NAND 时代将于明年开启，1000 层 NAND 时代将于 2027 年开启。三星电子、SK海力士、美光在NAND堆叠技术上展开竞争，最近Kioxia也加入了这个行列。NAND是一种通过多层垂直堆叠单元来增加存储容量的

Onsemi 计划于今年晚些时候推出 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆，并于 2025 年投入生产。安森美半导体营收为 17.35 亿美元，较去年第一季度下降 1.3 亿美元，较去年第二季度下降 2.65 亿美元，截至年底持平。onsemi 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury 表示：“我们仍在按计划实现今年将实现 8 英寸的认证，我所说的认证是指基板一直到晶圆厂。因此，今年将实

碳化硅作为一种新兴的半导体材料，具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性，使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能，碳化硅可以广泛地应用于衬底、外延、器件设计、晶圆制造等多个领域。据中研普华产业研究院发布的报告显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约为13.07亿元，预计到2026年将增至26.86亿元，由此可见其巨大的潜力市场。然而在实际应用过程中，碳化硅非常硬，

晶圆代工厂世界先进昨天举行在线法说会，释出需求回温的力道比预期弱的讯息，预估晶圆代工均价可能微幅下滑，但晶圆出货量仍会季增约91%。董事长方略表示，下半年大部分公司相对会比先前预期弱，其中车用弱了一些，3C大致持平，市场高期望有点落空；2025年则还需观察，可能也不会大幅成长。至于新加坡十二吋厂投资案，未来将专注于类比和电源管理产品，因合作对象为恩智浦半导体为全球第二大车用电子供应商，预期相关车用

三位知情人士称，英伟达正在为中国市场开发一款新旗舰 AI 芯片，该芯片将与当前的美国出口管制兼容。这家人工智能芯片巨头于 3 月推出了“Blackwell”芯片系列，该系列将于今年晚些时候量产。新处理器结合了两块硅片，大小与该公司之前的产品相同。在该系列中，B200 在某些任务（如提供聊天机器人的答案）上的速度比其前代产品快 30 倍。两位消息人士称，Nvidia 将与其在中国的主要分销合作伙伴合

台积电今日举行法说会，并公布2024年第二季财务报告，合并营收约新台币6,735.1亿元，税后纯益约新台币2,478亿5千万元，每股盈余为新台币9.56元（去年同期7.01元，年增36.3％，是历史最高的第二季EPS），受惠于AI芯片需求强劲，第2季营收与获利超过财测。「The more you buy TSMC wafer，the more you save」（你买越多台积电的芯片，就省下越多成

今日消息，（彭博社）——拜登政府面临中国芯片打压的反弹，已告知盟友，如果东京电子有限公司（Tokyo Electron Ltd.）和阿斯麦控股公司（ASML Holding NV）等公司继续向中国提供先进半导体技术，美国将考虑采用最严厉的贸易限制措施。为争取盟友的支持，美国正在考虑是否实施一项名为外国直接产品规则（Foreign Direct Product Rule，简称FDPR）的措施，据最近

在 1990 年的电影《回到未来 III》中，男主角马蒂·麦克弗莱发现自己被困在 1955 年，拼命想要修复他的穿越时空的 DeLorean 汽车，以便回到 1985 年。当他从汽车上拆下一个故障电路时，他 1955 年出生的同伴埃米特“博士”布朗打趣道：“难怪这个电路坏了，上面写着‘日本制造’。”马蒂回答道：“博士，你是什么意思？所有最好的东西都是日本制造的。”震惊的博士喃喃道：“难以置信。”现

前言SiC领域正在迎来群雄逐鹿的新时代，而射频芯片巨头Qorvo亦在电源应用领域耕耘多年，已占据自己的一席之地。在电气化、数据化、可再生能源等电力电子领域的强劲驱动下，SiC正以不可阻挡之势替代传统的硅基材料，成为下一代电子器件的核心技术。Yole Development预测，SiC市场规模将从 2023年的10亿美元快速增长至 2027 年的 63 亿美元，2030 年更将突破 150 亿美元，

近日，国际半导体产业协会(SEMI)发布《年中总半导体设备预测报告》。报告指出，原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将创下新的行业纪录，2024年将达到1090亿美元，同比增长3.4%。半导体制造设备预计将在2025年持续增长，在前后端细分市场的推动下，2025年的销售额预计将创下1280亿美元的新高。SEMI总裁兼首席执行官表示：“随着今年半导体制造设备总销售额的增长，预计2025年将实

富士康集团已进军先进封装领域，重点布局时下主流的面板级扇出封装（FOPLP）半导体方案。继旗下群创光电（Innolux）之后，富士康集团投资的夏普（Sharp）也宣布进军日本面板级扇出式封装领域，预计将于 2026 年投产。富士康集团在 AI 领域本身就有足够的影响力，而补上先进封装短板之后让其可以提供“一条龙”服务，便于后续接受更多的 AI 产品订单。公开资料显示富士康集团目前持有夏普 10.5

应用材料公司公布的芯片布线创新将有助于解决节能计算方面的挑战。芯片布线中使用新材料将使2nm节点制造成为可能，电路之间的宽度约为二十亿分之一米。这些创新将使布线电阻降低多达 25%，新材料将使芯片电容降低多达 3%。值得一提的是，这是业界首次在量产中使用钌，使铜芯片布线能够扩展到 2nm 节点及以下。这个新型增强型低 k 介电材料也可降低芯片电容并增强逻辑和 DRAM 芯片的 3D 堆叠能力。[在

项目名称：内蒙古自治区包头市九原区哈林格尔镇工业园区/内蒙古大全半导体电子特气项目项目名称：黑龙江省大庆高新区/高端半导体材料先进制造设备更新项目（HS）项目名称：黑龙江省哈尔滨市松北区/哈尔滨市松北区车规级系统基础集成电路研发及产业化项目（HS）项目名称：黑龙江省大庆高新区新泰路/半导体材料制造技术数字化升级项目（HS）项目名称：黑龙江省大庆高新区/大庆半导体材料年产1000吨光伏掺杂用N型磷母

来源：内容来自日经中文网，谢谢。日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料「碳化硅（SiC）」基板的新制造技术。artience（原日本东洋油墨SC控股）也在新型接合材料的实用化方面看到了眉目。碳化硅半导体可提高纯电动汽车（EV）的充电速度。而两家企业的技术均有助于降低碳化硅半导体的价格。日本拥有优势的材料技术将推动EV的普及。中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制

在Multibeam看来，今天可以称得上是全球半导体行业的一个里程碑，因为他们今天推出了 MB Platform，——全球首创的多柱电子束光刻 (MEBL：Multicolumn E-Beam Lithography )，可以使芯片工厂变得更好。据介绍，其新光刻系统（在芯片上印刷图案必不可少）是专为大规模生产而打造的系统。全自动精密图案化技术将用于快速成型、先进封装、高混合生产、芯片 ID、复合半

一，52.93亿元！36万片！中车又一功率器件项目启动！2024年6月25日，中国中车中低压功率器件产业化（株洲）项目桩基建设启动仪式在株洲市石峰区田心工业园举行，株洲市市委副书记、市长陈恢清宣布开工！中国中车总经济师邵仁强，湖南省工信厅副厅长杨亲鹏，市领导何恩广、刘亚亮参加开工仪式并致辞。中低压功率器件产业化（株洲）建设项目总投资约52.93亿元，将以时代电气控股子公司株洲中车时代半导体有限公司

尽管目前市场上SiC衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及，但国内SiC衬底头部厂商普遍都在积极布局8英寸，其中就包括南砂晶圆。早在2022年9月，南砂晶圆就联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，并加工成厚度为520μm的8英寸4H-SiC衬底。为加速8英寸SiC衬底产业化，南砂晶圆8英寸SiC单晶

一、氮化嫁（GaN）定义氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。图1：第一、第二、第三代半导体的禁带宽度图源：智慧芽1.1 第一代半导体材料第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)半导体材料，兴起于二十世纪五十年代，带动了以集成电路为核心的