8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。资料显示，SweGaN新工厂位于瑞典林雪平，于2023年3月动工建设，可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示，旗下新工厂开始出货标志着公司从一家无晶圆厂设计厂商，正式转型为一家半导体制造商。此外，2024上半年，SweGaN与

人工智能对高性能、可持续计算和网络硅片的需求无疑增加了研发投入，加快了半导体技术的创新步伐。随着摩尔定律在芯片层面的放缓，人们希望在 ASIC 封装内封装尽可能多的芯片，并在封装层面获得摩尔定律的好处。承载多个芯片的 ASIC 封装通常由有机基板组成。有机基板由树脂（主要是玻璃增强环氧层压板）或塑料制成。根据封装技术，芯片要么直接安装在基板上，要么在它们之间有另一层硅中介层，以实现芯片之间的高速连

为了扩大半导体供应链，据透露，通讯芯片大厂博通(Broadcom)传出已入股日本TOPPAN Holdings(旧称凸版印刷)位于新加坡的FC-BGA基板新厂。日经新闻9日报导，博通据悉已入股TOPPAN预计在2026年年底投产的新加坡FC-BGA基板新厂、计画借此扩大半导体供应链。TOPPAN未透露上述新加坡FC-BGA基板工厂的投资额规模，而据关系人士指出，投资额约500亿日圆、且可能增加至1

台积电且因应客户长期成长需求，今年资本支出将原本预估的280亿到320亿美元，下限略微上修至300亿美元，上限仍维持320亿美元。不过随产能利用率拉升，台积电本季毛利率将介于53.5到55.5%；营业利益率介于42.5%到44.5%，均于上季的53.2%及42.5%。台积电公布第2季3奈米制程出货占台积晶圆销售金额的15%，5 奈米制程出货占全季晶圆销售金额的35%；7 奈米制程出货则占全季晶圆销

随着企业适应智能行业，硅片性能变得越来越重要，通常是成功数字化转型的基石。因此，半导体公司面临着客户的需求，他们希望获得更加个性化和以软件为中心的体验。对于许多行业专家来说，半导体行pcgamer业显然正在经历一场大规模的转型，其客户要求各个行业都进行变革。在这个复杂的领域，出现了一个新的机遇——半导体软件化——具体来说是“芯片到行业”。这种新模式支持创建全栈功能。从硅片到应用，半导体软件化有两种

随着人工智能（AI）市场的增长，大型科技公司的服务器建设再次活跃，对大容量NAND闪存的需求也不断增加。随着存储行业重新燃起高容量、高性能 NAND 的堆叠竞争，预计 400 层 NAND 时代将于明年开启，1000 层 NAND 时代将于 2027 年开启。三星电子、SK海力士、美光在NAND堆叠技术上展开竞争，最近Kioxia也加入了这个行列。NAND是一种通过多层垂直堆叠单元来增加存储容量的

Onsemi 计划于今年晚些时候推出 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆，并于 2025 年投入生产。安森美半导体营收为 17.35 亿美元，较去年第一季度下降 1.3 亿美元，较去年第二季度下降 2.65 亿美元，截至年底持平。onsemi 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury 表示：“我们仍在按计划实现今年将实现 8 英寸的认证，我所说的认证是指基板一直到晶圆厂。因此，今年将实

碳化硅作为一种新兴的半导体材料，具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性，使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能，碳化硅可以广泛地应用于衬底、外延、器件设计、晶圆制造等多个领域。据中研普华产业研究院发布的报告显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约为13.07亿元，预计到2026年将增至26.86亿元，由此可见其巨大的潜力市场。然而在实际应用过程中，碳化硅非常硬，

晶圆代工厂世界先进昨天举行在线法说会，释出需求回温的力道比预期弱的讯息，预估晶圆代工均价可能微幅下滑，但晶圆出货量仍会季增约91%。董事长方略表示，下半年大部分公司相对会比先前预期弱，其中车用弱了一些，3C大致持平，市场高期望有点落空；2025年则还需观察，可能也不会大幅成长。至于新加坡十二吋厂投资案，未来将专注于类比和电源管理产品，因合作对象为恩智浦半导体为全球第二大车用电子供应商，预期相关车用

三位知情人士称，英伟达正在为中国市场开发一款新旗舰 AI 芯片，该芯片将与当前的美国出口管制兼容。这家人工智能芯片巨头于 3 月推出了“Blackwell”芯片系列，该系列将于今年晚些时候量产。新处理器结合了两块硅片，大小与该公司之前的产品相同。在该系列中，B200 在某些任务（如提供聊天机器人的答案）上的速度比其前代产品快 30 倍。两位消息人士称，Nvidia 将与其在中国的主要分销合作伙伴合

台积电今日举行法说会，并公布2024年第二季财务报告，合并营收约新台币6,735.1亿元，税后纯益约新台币2,478亿5千万元，每股盈余为新台币9.56元（去年同期7.01元，年增36.3％，是历史最高的第二季EPS），受惠于AI芯片需求强劲，第2季营收与获利超过财测。「The more you buy TSMC wafer，the more you save」（你买越多台积电的芯片，就省下越多成

今日消息，（彭博社）——拜登政府面临中国芯片打压的反弹，已告知盟友，如果东京电子有限公司（Tokyo Electron Ltd.）和阿斯麦控股公司（ASML Holding NV）等公司继续向中国提供先进半导体技术，美国将考虑采用最严厉的贸易限制措施。为争取盟友的支持，美国正在考虑是否实施一项名为外国直接产品规则（Foreign Direct Product Rule，简称FDPR）的措施，据最近

富士康集团已进军先进封装领域，重点布局时下主流的面板级扇出封装（FOPLP）半导体方案。继旗下群创光电（Innolux）之后，富士康集团投资的夏普（Sharp）也宣布进军日本面板级扇出式封装领域，预计将于 2026 年投产。富士康集团在 AI 领域本身就有足够的影响力，而补上先进封装短板之后让其可以提供“一条龙”服务，便于后续接受更多的 AI 产品订单。公开资料显示富士康集团目前持有夏普 10.5

项目名称：内蒙古自治区包头市九原区哈林格尔镇工业园区/内蒙古大全半导体电子特气项目项目名称：黑龙江省大庆高新区/高端半导体材料先进制造设备更新项目（HS）项目名称：黑龙江省哈尔滨市松北区/哈尔滨市松北区车规级系统基础集成电路研发及产业化项目（HS）项目名称：黑龙江省大庆高新区新泰路/半导体材料制造技术数字化升级项目（HS）项目名称：黑龙江省大庆高新区/大庆半导体材料年产1000吨光伏掺杂用N型磷母

来源：内容来自日经中文网，谢谢。日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料「碳化硅（SiC）」基板的新制造技术。artience（原日本东洋油墨SC控股）也在新型接合材料的实用化方面看到了眉目。碳化硅半导体可提高纯电动汽车（EV）的充电速度。而两家企业的技术均有助于降低碳化硅半导体的价格。日本拥有优势的材料技术将推动EV的普及。中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制

在Multibeam看来，今天可以称得上是全球半导体行业的一个里程碑，因为他们今天推出了 MB Platform，——全球首创的多柱电子束光刻 (MEBL：Multicolumn E-Beam Lithography )，可以使芯片工厂变得更好。据介绍，其新光刻系统（在芯片上印刷图案必不可少）是专为大规模生产而打造的系统。全自动精密图案化技术将用于快速成型、先进封装、高混合生产、芯片 ID、复合半

一，52.93亿元！36万片！中车又一功率器件项目启动！2024年6月25日，中国中车中低压功率器件产业化（株洲）项目桩基建设启动仪式在株洲市石峰区田心工业园举行，株洲市市委副书记、市长陈恢清宣布开工！中国中车总经济师邵仁强，湖南省工信厅副厅长杨亲鹏，市领导何恩广、刘亚亮参加开工仪式并致辞。中低压功率器件产业化（株洲）建设项目总投资约52.93亿元，将以时代电气控股子公司株洲中车时代半导体有限公司

尽管目前市场上SiC衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及，但国内SiC衬底头部厂商普遍都在积极布局8英寸，其中就包括南砂晶圆。早在2022年9月，南砂晶圆就联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，并加工成厚度为520μm的8英寸4H-SiC衬底。为加速8英寸SiC衬底产业化，南砂晶圆8英寸SiC单晶

一、氮化嫁（GaN）定义氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。图1：第一、第二、第三代半导体的禁带宽度图源：智慧芽1.1 第一代半导体材料第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)半导体材料，兴起于二十世纪五十年代，带动了以集成电路为核心的

摩根大通（小摩）证券在最新释出的「晶圆代工产业」报告中指出，晶圆代工去库存化将结束，产业景气2024年下半年将广泛恢复，并于2025年进一步增强，小摩据此按赞三台厂，包括台积电、联电、力积电等均给予「优于大盘」评级，世界先进与陆厂中芯国际建议「中立」。小摩台湾区研究部主管Gokul Hariharan分析，景气第1季落底，加上AI需求持续上升、非AI需求也逐渐恢复，更重要的是急单开始出现，包括大尺