东北大学于2024年10月17日宣布，成立了一家名为FOX的初创公司，旨在以低成本大规模生产β型氧化镓（β-Ga2O3）晶圆。采用该校与该校初创公司C&A联合开发的无贵金属单晶生长技术，可以以比SiC（硅）更低的成本生产出与硅相当的低缺陷β-Ga2O3/衬底。我们的目标是将该技术投入实际应用。

β-Ga2O3具有比SiC和GaN（氮化镓）更宽的带隙，并且由于其高性能和低能量损耗而有望用作下一代功率半导体。此外，与硅一样，β-Ga2O3可以通过熔融生长从原料熔体中生长，从而可以一次生产大量高质量的单晶。这一生长速度约为SiC的10至100倍，这意味着晶圆生产率在下一代半导体材料中极高，理论上可以以低成本生产低缺陷的单晶衬底。

然而，在传统的晶体生长方法中，由于在盛装高熔点氧化物熔体的坩埚中使用了贵金属铱（约26,000日元/克（2024年8月市场价）），因此需要定期重铸。为此要求，β-Ga2O3器件的制造成本一直难以降低，其中铱的成本占成本的60%以上，包括半导体前端工艺中一些薄膜的制造。目前，β-Ga2O3衬底比SiC更昂贵，并且β-Ga2O3并没有变得更受欢迎。FOX 这家初创公司就是为了解决这个问题而成立的。

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶体生长）方法，无需使用贵金属坩埚即可批量生产β-Ga2O3单晶，从而生产出与硅相当的低缺陷β-Ga2O3锭/ 旨在将技术商业化，以比 SiC 更便宜的方式制造衬底。

OCCC法是由东北大学材料研究所的Akira Yoshikawa教授、该大学未来科学技术联合研究中心的Ke Kamata副教授和C&A研究小组开发的技术，宣布成功生产单晶。

东北大学表示：“通过这项技术突破氧化镓的价格/质量问题，我们将为使用氧化镓的下一代功率半导体的社会实现做出贡献，预计将产生 470 亿日元（ ），我们的目标是在 2030 年将氧化镓市场扩大一个数量级，而预计该市场的规模极其有限。”初期，该公司将专注于采用OCCC方法开发半导体级大直径技术，加快技术开发，目标是到2028年建立6英寸晶圆的量产技术。此后，该公司计划增加量产工厂数量，推进6英寸晶圆示范，并计划在2033年之前进行IPO。

参考链接

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2410/17/news191.html